概况
ITC57300 动态参数测试系统主机可接受对半导体器 件（如绝缘栅双极晶体管 (IGBT)、功率 MOSFET、二 极管和其他双极器件）进行非结构性瞬态测量的测 试头（需要额外的可选偏置电源供应器和定制个性 板）。主机包括所有必要的测试设备和软件，用于
分析和执行电阻和电感开关时间、开关损耗、栅极 电荷、Trr/Qrr 和其他瞬态测试。 测试头专为特定类型的瞬态测试而设计，与主机上 的专用测试头接收器相连接。虽然测试头的设计仅 用于执行一种特定测试，但每个测试头内的个性板 可针对特定设备、设备封装和各种设备电路排列重 新配置测试头。
能力
测试电压：最大 1200 Vdc，200 A（Isc 达 1000A）
• 定时测量：最小 1 毫微秒
• 漏极电流限制监控器
• 范围替代
• 附加电源
• 附加测试头
• 大型封装适配器
测试头
•ITC57210 - N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 的 R 开关时间，
MIL-STD-750，方法 3472
• ITC57220 - 功率 MOSFET 和二极管的 Trrr/Qrr，MIL
STD-750，方法 3473
• ITC57230 - 功率 MOSFET 的栅极电荷，MIL
STD-750，方法 3471
• ITC57240 IGBT 的感应开关时间，MIL-STD
750，方法 3477
• ITC57250 短路 (Isc) 耐受时间，MIL-STD 750，
方法 3479
• ITC57260 - 功率 MOSFET 的栅极电阻 (Rg)、输入电容
(Ciss)、输出电容 (Coss) 和反向电容 (Crss)，JEDEC 标准
JESD24-11
ITC57300 动态参数测试系统
